ヒ化ガリウム
ガリウムのヒ化物 / ウィキペディア フリーな encyclopedia
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ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、英: gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
概要 ヒ化ガリウム, 識別情報 ...
ヒ化ガリウム | |
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Gallium arsenide | |
識別情報 | |
CAS登録番号 | 1303-00-0 |
PubChem | 14770 |
RTECS番号 | LW8800000 |
| |
特性 | |
化学式 | GaAs |
モル質量 | 144.645 g/mol |
外観 | 灰色結晶 |
密度 | 5.316 g/cm3[1] |
融点 |
1238 °C, 1511 K, 2260 °F |
水への溶解度 | < 0.1 g/100 mL (20 °C) |
バンドギャップ | 1.424 eV (300 K) |
熱伝導率 | 0.55 W/(cm·K) (300 K) |
屈折率 (nD) | 3.0 - 5.0[2] |
構造 | |
結晶構造 | 閃亜鉛鉱型 |
空間群 | T2d-F-43m |
配位構造 | 四面体形 |
分子の形 | 直線形 |
危険性 | |
安全データシート(外部リンク) | External MSDS |
EU分類 | 有毒 (T) 環境への危険性 (N) |
NFPA 704 | |
Rフレーズ | R23/25 R50/53 |
Sフレーズ | S1/2 S20/21 S28 S45 S60 S61 |
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 |
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