絕緣柵雙極晶體管維基百科,自由的 encyclopedia 提示:此条目页的主题不是LGBT。絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。 此條目包含過多行話或專業術語,可能需要簡化或提出進一步解釋。 (2014年3月12日) 三菱製大功率IGBT模塊 IGBT 的符號
提示:此条目页的主题不是LGBT。絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。 此條目包含過多行話或專業術語,可能需要簡化或提出進一步解釋。 (2014年3月12日) 三菱製大功率IGBT模塊 IGBT 的符號