آیجیبیتی
From Wikipedia, the free encyclopedia
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده (انگلیسی: Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) از نیمههادیهای قدرت است که دارای قابلیت عملکرد در ولتاژها و جریانهای بالا و نیز سوئیچینگ سریع است. این ترانزیستور در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروی برقی، قطار، یخچالها، دستگاههای تهویه مطبوع، سیستمهای استریو و تقویت کنندههای قدرت استفاده میشود. همچنین در ساخت اینورترها، ترانس جوشکاری و منبع تغذیهٔ UPS نیز کاربرد دارد.
با سوییچ کردن ترانزیستورها در فرکانسهای بالا میتوان از آنها برای کنترل سطح ولتاژ DC استفاده کرد. به این منظور، ترانزیستور باید بتواند ولتاژها و جریانهای زیاد و نیز فرکانس سوئیچینگ زیاد را تحمل کند. به همین دلیل برای این منظور از از ترانزیستور ماسفت قدرت (Power Mosfet) استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن زیاد میشود. برای رفع این مشکل از IGBT استفاده میشود. در سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شدهاست.
جدول مقایسه IGBT[1] | |||
---|---|---|---|
مشخصه قطعه | BJT قدرت | ماسفت قدرت | IGBT |
بازه ولتاژ | High <1kV | High <1kV | Very high >1kV |
بازه جریان | High <500A | High >500A | High >500A |
Input drive | Current ratio hFE ۲۰–۲۰۰ | Voltage VGS 3-10 V | Voltage VGE 4-8 V |
امپدانس ورودی | Low | High | High |
امپدانس خروجی | Low | Medium | Low |
سرعت سوئیچینگ | Slow (µs) | Fast (ns) | Medium |
هزینه | Low | Medium | High |