Discussion:Silicium sur isolant
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Jef-Infojef --> Le SOI n'a pas été conçu par SOITEC. Le principe du SOI a été inventé par IBM dans les années 80 je crois. (A vérifier pour la date) L'inovation majeure de Soitec a été le procédé SmartCut.
Avancement | Importance | pour le projet | |
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Ébauche | Moyenne | Électricité et électronique (discussion • critères • liste • stats • hist. • comité • stats vues) | |
Physique (discussion • critères • liste • stats • hist. • comité • stats vues) | |||
Faible | Chimie (discussion • critères • liste • stats • hist. • comité • stats vues) |
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- Votre aide est la bienvenue pour corriger les liens, présents dans l'article, vers les pages d'homonymie Déplétion ⇒ Quelques explications pour effectuer ces corrections. -- 29 décembre 2014 à 13:32 (CET)
IBM utilisait la technologie du Simox. (On implante directement des ion Oxygème pour créer la couche d'oxyde isolante) Avec le procédé Smartcut, la fabrication du SOI devient beaucoup plus industrialisable, de meilleure qualité et meilleur marché. Ce qui va permettre son expansion.
En résumé, le SOI a été mis au point par IBM, et Soitec (ou plutôt les chercheurs du LETI/CEA à l'origine de Soitec) ont mis au point un procédé permettant de le fabriquer à moindre coût.
Daviot --> Tu as l'air très au courant du milieu, donc je ne voudrais pas raconter de bétise, mais tu dis que Sumco fait au maximum du 200mm. A ma connaissance ils font aussi du 300mm.
Tout comme SEH, et là c'est certain.