포토레지스터
광의존성 저항기 / From Wikipedia, the free encyclopedia
포토레지스터(photoresistor)는 빛의 양에 따라 값이 변하는 저항기이다. 광의존 저항기(light-dependent resistor, LDR)라고도 한다. 빛의 양이 크면 전기 저항이 줄어드는 광전도성을 띈다. 빛을 검출하는 전기회로나 빛의 유무에 따라 열리고 닫히는 스위치 회로에 적용될 수 있다.
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포토레지스터는 높은 저항 값을 갖는 반도체로 만든다. 빛이 없는 상태일 때 메가 옴(MΩ) 크기의 저항 값을 지니며 빛이 커질수록 전기 저항이 낮아져 몇 백 옴 크기까지 저항 값이 낮아지게 된다. 작동 범위 내의 특정 주파수를 갖는 빛이 반도체에 전달되면 전자가 방출되어 저항기는 전도 대역에 다다르게 된다. 이에 따라 자유 전자와 정공이 형성되고 저항 값이 낮아지게 된다. 저항 값의 범위와 민감도는 사용된 반도체의 종류에 따라 다르다.
반도체를 사용하는 다른 전자 부품들과 마찬가지로 포토레지스터 역시 진성 포토레지스터와 외인성 포토레지스터로 구분할 수 있다. 진성 소자는 자체적인 전하 운반자를 지니고 있고 규소와 같이 효율이 낮은 물질을 사용한다. 진성 포토레지스터에서 활성 전자는 오직 원자가띠 대역에만 존재하기 때문에 자유 전자를 형성하려면 광자가 전달하는 에너지가 띠틈을 넘어설 수 있을 만큼 충분해야 한다. 외인성 포토레지더는 반도체에 도펀트라고 불리는 소량의 불순물이 포함되어 보다 적은 에너지로도 전도 대역으로 점프할 수 있다.[1]