LOCOS
Uit Wikipedia, de vrije encyclopedia
LOCOS (afkorting voor LOCal Oxidation of Silicon) is een halfgeleiderfabricageproces dat bij het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen wordt gebruikt om de afzonderlijke elektronische componenten (bijvoorbeeld MOS-transistors) elektrisch van elkaar te isoleren. Kenmerkend is het gebruik van een siliciumnitridemasker om de siliciumschijf lokaal tegen oxideren te beschermen. Door het bekomen raster van verzonken siliciumoxide verkrijgen de omliggende siliciumeilanden de vorm van een mesa, die de aanliggende pn-overgangen tegen oppervlakteverschijnselen zoals lek en doorslag beschermen. De mogelijkheid van deze werkwijze werd in 1967 eerder bij toeval ontdekt door de Nederlandse scheikundige Else Kooi tijdens zijn onderzoek naar planaire halfgeleidertechnieken bij het Philips Natuurkundig Laboratorium.