Plasma-ashen
Uit Wikipedia, de vrije encyclopedia
Plasma-ashen is een vorm van plasma-etsen. Het wordt toegepast om een laag organisch materiaal, veelal gebruikt als lithografisch beschermingsmasker (coating), na de bewerkingsstap geheel van een halfgeleidersubstraat te verwijderen. Omdat deze maskerlaag ook kan worden gebruikt tijdens doteringsstappen, kan deze ook p- en n- verontreinigingen bevatten.
Het organisch materiaal wordt verwijderd door middel van oxidatie ofwel verbranding. Hiertoe wordt zuurstofgas gebruikt, dat wordt ontleed en met behulp van een plasma actief wordt gemaakt. Hierdoor ontstaan reactieve componenten als ionen, radicalen, ozon en mono-atomen. Het verwijderen van de doteringsverontreinigingen gebeurt door het toevoegen van specifieke additieve gassen, veelal fluoride gebaseerd, aan het zuurstofgas.
Er zijn twee methoden voor het ashen van substraten: