掺杂 (半导体)維基百科,自由的 encyclopedia 掺(chān)杂(英語:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本質半導體引入杂质,使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂(dopant)或掺杂物,而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。
掺(chān)杂(英語:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本質半導體引入杂质,使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂(dopant)或掺杂物,而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为简并半导体。