芯片制程技术节点
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芯片制程技术节点是指芯片上的电子元器件之特征,即电子元件所能达到的最小尺寸;而芯片面积相同时电子元件尺寸愈小,芯片就能容纳得下愈多的电子元器件(主要为晶体管),芯片的性能也随之提升。自芯片商业化量产以来的头三十余年里,芯片制程技术节点的名稱與晶体管栅极的长度(gate length)和半节距有關[1],但自1997年起,它们之间已开始没有关联;芯片制程技术节点之命名与栅极的长度、栅极间的节距(gate pitch)、及金属层间的节距(metal pitch)并不相同,而是成了各厂家为了市场营销而推出的商业命名。[2][3][4][5]因此对10纳米及更先进的芯片制程技术节点,现业界较普遍以晶体管密度和芯片总体性能为准,[1]例如相较于上一代芯片,新款芯片之性能一般需提升约五分之一左右,方能被归入下一代芯片制程技术节点。[6]
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