Heteroübergang
Halbleiter-Grenzschicht / aus Wikipedia, der freien encyclopedia
Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke und weisen besonderen elektrische und optische Eigenschaften auf.[1][2]
Heteroübergänge werden meist aus III-V oder II-VI-Verbindungshalbleitern mittels Halbleiterepitaxie realisiert. Man spricht bei mehreren Schichten auch von Übergittern.
Der Nobelpreis für Physik 2000 wurde an Herbert Kroemer und Schores Iwanowitsch Alfjorow für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen.[3][4][5]