Low-k-Dielektrikum
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Als Low-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnologie ein Material bezeichnet, das eine niedrigere Dielektrizitätszahl als SiO2 aufweist, d. h. εr < 3,9. Angestrebt werden heutzutage sogenannte Ultra-low-k-Materialien, deren Dielektrizitätszahl kleiner als 2,4 ist.
Die Bezeichnung „Low-k“ ist dem Englischen entlehnt, wo die Dielektrizitätszahl (relative Permittivität) häufig mit (kappa) bezeichnet wird, manchmal auch nur mit k. Im Gegensatz dazu stehen die High-k-Dielektrika, die als Gate-Isolator eingesetzt werden und durch ihre hohe Dielektrizitätszahl eine dickere Isolationsschicht erlauben und damit zur Reduzierung von Leckströmen (vgl. Tunneleffekt) beitragen.