DDR5 SDRAM
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La Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory, ou DDR5 SDRAM, est un type de mémoire vive dynamique qui succède à la DDR4 SDRAM et dont les spécifications faites par le JEDEC[1] ont été finalisées en 2020[2].
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Elles sont prévues pour diminuer la consommation électrique par rapport aux DDR4 SDRAM, tout en doublant la bande passante[3],[4].
Une nouvelle fonctionnalité appelée Decision Feedback Equalization (DFE) permet l’évolutivité de la vitesse d’entrée/sortie (E/S) pour une bande passante plus élevée et une amélioration des performances. La DDR5 a à peu près la même latence (environ 14 ns) que la DDR4 et la DDR3[5]. La mémoire DDR5 multiplie par huit la capacité maximale des barrettes DIMM qui passe de 64 Go à 512 Go[6],[7]. La DDR5 a également des taux de transfert plus élevés que la DDR4, jusqu’à 8 GT/s, ce qui se traduit par une bande passante de 64 Go/s (8 GT/s * 64 bits de largeur / 8 bits/octet = 64 Go/s) par DIMM.
La société coréenne SK Hynix a produit les premières DDR5 16 Go fin 2018[8].
Samsung a annoncé la disponibilité des DDR5 pour la fin de l'année 2019[9] et présente le Samsung Galaxy S20 le 11 février 2020, premier smartphone possédant de la mémoire LPDDR5.