MOSダイオードは、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸化物-半導体)構造をもつダイオード[1] である。MOSキャパシタとも呼ばれる。
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P型またはN型のシリコンウェハの表面を酸化して絶縁酸化膜(SiO2)を作り、その上に金属ゲート(金属や高濃度にドーピングされたシリコン)を付けた構造をもつ。
MOSキャパシタは、ランダムアクセスメモリ(RAM)やCCDイメージセンサに用いられる。