IGBT
From Wikipedia, the free encyclopedia
IGBT (insulated-gate bipolar transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982. IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.[1]
Thông tin Nhanh Transistor IGBT, Loại ...
Transistor IGBT | |
---|---|
Mitsubishi IGBT-Module với dòng 1200 A và điện áp cực đại 3300 V | |
Loại | Chủ động |
Chân | collector, gate, emitter |
Ký hiệu điện | |
Đóng