90纳米制程維基百科,自由的 encyclopedia 90纳米制程是半导体制造制程的一个水平,大约于2004年至2005年左右达成。[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外,12英寸晶圓在这个制程上成为主流。
90纳米制程是半导体制造制程的一个水平,大约于2004年至2005年左右达成。[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外,12英寸晶圓在这个制程上成为主流。